根据云南省“兴滇英才支持计划”《团队专项实施细则（试行）》（云党人才办〔2022〕12号）有关规定，2022年12月5日，经个人申报、单位推荐，省科技厅组织了24个创新团队的考核评审工作，由云南锗业副总经理、正高级工程师、云岭学者、工学博士普世坤为带头人的云南临沧鑫圆锗业股份有限公司锗冶金及材料制备省创新团队（以下简称“团队”），在出站答辩会上详细汇报了研究方向、思路和取得成果，经过质询、交流和讨论，评审组一致通过其答辩，同意出站，从而实现了临沧市首个省创新团队出站“从0到1”的突破。
团队主要围绕电子级四氟化锗制备关键技术；4、6英寸碳化硅单晶片制备关键技术；6英寸VGF法太阳能电池用锗单晶的高通量制备表征与产业化关键技术；锗材料数据库建设与直拉法制备光伏级锗单晶的工程化应用示范；半导体材料标准制修订等方面开展研究与技术攻关。
团队先后完成了两条四氟化锗制备试验技术路线及其实施方案设计；掌握了4-6英寸SiC晶片制备关键技术，完成了SiC单晶生长炉的设计、研制、单晶生长技术及加工工艺、合成碳化硅粉料的热场结构设计的研究开发；掌握了6英寸VGF法单晶炉设计，单晶生长热场设计，单晶生长工艺，切、磨、抛、加工等核心技术，完成了垂直梯度凝固法（VGF法）6英寸锗单晶生长炉自主设计与优化，开发出了6英寸VGF法锗单晶生长工艺技术和加工工艺技术；完成了CZ法锗单晶生长炉的热场设计，开展了直拉法制备光伏级锗单晶工艺技术研究，建立一套最优的直拉法制备光伏级锗单晶生长工艺参数体系；初步完成了锗材基础数据库和专用数据库搭建。
依托团队项目，在半导体材料标准制修订方面，完成了再生锗原料、锗单晶、区熔锗锭、电子级四氟化锗等国家标准6项，行业标准3项，团体标准1项，企业标准3项等标准的研制工作；申请发明专利11件，实用新型专利10件，获得授权发明专利7件、实用新型专利10件；发表科技论文4篇；完成了4项项目验收工作，2项科技成果鉴定工作；形成了10余项自主知识产权可供产业化的关键技术；获得2020年度云南省技术发明二等奖1项，云南省第三届工业发展杰出贡献奖1项，入选云南省知识产权高层次人才培养支持1人。获得省市级科技计划立项支持10项，培养在读硕士研究生7人，中级职称晋升副高级职称2人，初级职称晋升中级职称5人，初级职称晋升2人，入选昆明市“春城计划”高层次人才计划1人，“春城青年拔尖人才计划”1人。
滇公网安备：53090202000021号
